Saf germanyum veya silisyum maddesine, 'Bor' maddesi ilavesi edilerek P tipi yarı iletken elde edilir. Bor maddesinin atomlarının en dış yörüngesinde 3 elektron bulunur. Aşağıdaki şekilde, bor atomunun basitleştirilmiş çizimi görülmektedir.Silisyum maddesine, bor maddesi enjekte edildiğinde, bor atomlarının en dış yörüngelerindeki 3 elektron, silisyum atomlarıyla kovalent bağ kurar, buna karşılık bor atomunun en dış yörüngesindeki elektron sayısı 3 olduğu için bir kovalent bağ eksik kalır. Yani her bor atomu 1 elektronluk eksiklik meydana getirir. Bu elektron eksikliği veya boşluğu oyuk olarak da adlandırılır. Katkılı maddede meydana gelen elektron eksikliği, bu maddenin pozitif bir yapı kazanmasına yol açar. Bu nedenle bu madde, P tipi yarı iletken olarak adlandırılır.
güneş pilleri dahil olmak üzere bir çok elektrik üretim/iletim uygulamalarında kullanılır.
germanyumun, silisyumdan daha verimli olmasının nedeni son yörüngelerinde bulunan elektron sayılarının farklı olamsıdır. Germanyumun son yörüngesinde, silisyuma göre daha fazla elektron vardır. bu nedenle de germanyumdan elektron koparmak daha kolaydır ( elektron fazla olmasından dolayı elektron başına düşen çekirdek çekim kuvveti azalır) ve germanyumu hareketi geçirmek için gerekli olan eşik voltajı bu nedenle daha az olur.
sonuç olarak germanyum silisyumdan daha verimli olur efendim.
